問21令和5年度 秋期テクノロジ系
MOS トランジスタの説明として,適切なものはどれか。
- アpn 接合における電子と正孔の再結合によって光を放出するという性質を利用した半導体素子
- イpn 接合部に光が当たると電流が発生するという性質を利用した半導体素子
- ウ金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子
- エ逆方向電圧をある電圧以上印加すると,電流だけが増加し電圧がほぼ一定に保たれるという特性をもつ半導体素子
正解はウ
解説 本サイト独自(IPA公表のものではありません)
ウ MOSトランジスタは,金属,酸化物絶縁体,半導体を重ねた構造を特徴とする半導体素子である。酸化物絶縁体を介して加える電圧によって半導体内の電流を制御するため,ウが適切である。
- ア これは,電子と正孔が再結合するときに生じる光を利用する発光用の半導体素子の説明である。
- イ これは,pn接合部に当たった光を電流に変換する受光用の半導体素子の説明である。
- エ これは,逆方向電圧が一定の範囲で電圧をほぼ一定に保つ性質を利用した半導体素子の説明である。
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出典:令和5年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21