問11令和5年度 春期テクノロジ系
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として,適切なものはどれか。
- ア各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように,物理的な書込み位置を選択する。
- イ記憶するセルの電子の量に応じて,複数のビット情報を記録する。
- ウ不良のブロックを検出し,交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
- エブロック単位でデータを消去し,新しいデータを書き込む。
正解はア
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ア ウェアレベリングとは,フラッシュメモリの特定のブロックに書込みが集中しないように,物理的な書込み位置を分散させる仕組みである。各ブロックの書込み回数をなるべく均等にすることで,一部だけが早く劣化するのを防ぐ。
- イ これは,セルに記憶する電子の量を複数の段階に分け,一つのセルへ複数のビット情報を記録する方法の説明である。
- ウ これは,不良になったブロックを使用せず,交換領域の正常なブロックへ置き換える不良ブロックの処理を説明している。
- エ これは,フラッシュメモリで消去と書込みを行う単位や手順の説明であり,書込み回数を各ブロックへ均等に分散する説明ではない。
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出典:令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11